六氟化硫是一種絕緣性極佳的氣體，經常被用于高壓滅弧以及變電器、高壓傳輸線、互感器等當中。但是六氟化硫除了這些功能以外，也可以作為電子蝕刻劑使用。電子級高純六氟化硫是一種理想的電子蝕刻劑，被大量應用于微電子技術領域。六氟化硫在氮化硅蝕刻中的應用和不同參數的影響吧。
研究發現，提高電漿功率時，蝕刻速率隨之上升；若增加電漿中SF6的流量，則F原子濃度增加且與蝕刻速率成正相關。另在總流量固定下添加陰電性氣體O2后，則會產生增加蝕刻速率的效果，但在不同的O2/SF6流量配比下，則會有不同的反應機構，可分成三部分：(1)O2/SF6流量配比值很小時，O2可幫助SF6的解離，此時蝕刻速率比未添加O2時為大。(2)當O2/SF6流量配比值大于0.2到趨近于1的區間時，此時因SF6大量解離形成F原子，故蝕刻速率是最高的；但同時電漿中O原子也在增加且易與SiNx膜面形成SiOx或SiNxO(y-x)，而O原子增加愈多則使F原子愈不易進行蝕刻反應，故O2/SF6比值接近1時蝕刻速率開始趨緩。(3)當O2/SF6配比值大于1時，蝕刻速率下降。因O2大量增加，解離的F原子與O2發生碰撞并形成OF，降低F原子濃度，而導致蝕刻速率的降低。由此中可知，當添加O2后，O2/SF6的流量比值=0.2~0.8之間，可得到最佳的蝕刻速率。